مقدمة عن التليفزيون الترانزستور Transistor TV

الترانزستور

توجد أنواع عديدة من الترانزستور من جهة تركيبها الداخلي وبالتالي فكرة عملها الا أنه سيكون أساس دراستنا هي : نوع الترانستور PNP , NPN الأكثر شيوعا واستخداما وهو المعروف بنوعيه Bl – POLAR والمعروف مجازا لدي بعض الفنيين بالترانزستور ( العدل ) و ( المعكوس ) علي الترتيب وان كان الأخير هو الأكثر استخداما في أجهزة التليفزيون الحالية .

الرمز الفني للترانزستور :

transistor-1_03

بإلاضافة إلي أن السهم يرمز إلي طرف القاذف E فهو أيضا يحدد نوع الترانزستور واتجاه تيار القاذف فيكون خارجا من القاعدة B في نوع NPN وبالتالي يكون اتجاه كل من تياري القاعدة والمجمع C داخلين في القاعدة .

ويكون أتجاه تيار القاذف داخلا إلي القاعدة في نوع PNP وبالتالي يكون اتجاه كل من تياري القاعدة والمجمع خارجين منها .

تشغيل الترانستور :

أهم مبدأ أساس لعمل الترانستور هو توفير الانحيازين الأمامي والعكسي .

الانحياز الأمامي وهو فرق الجهد بين القاعدة والقاذف والانحياز العكسي هو فرق الجهد بين القاعدة والمجمع كما سبق دراستك له سواء في أي كتاب ترانزستور أو في أي من معاهد تعليم الراديو والتليفزيون –ولكن ما نريد أن نوضحه أكثر ونذكرك به هو تأثير زيادة أو نقصان كل من الإنحياز الأمامي والأنحياز العكسي علي تشغيل الترانزستور بدون رسم المنحنيات فنلخصها كالأتي :

الانحياز العكسي :

بزيادة الانحياز العكسي يزيد التكبير وبنقصان الانحياز العكسي يقل التكبير أو ينعدم ويمثل تطبيق ذلك عمليا في حالة ترانزستور NPN مثلا بزيادة جهد المجمع الموجب يزيد التكبير وبنقصانه يقل التكبير وبفقدانه يقف عمل التراستور تماما .

الإنحياز الأمامي :

وهو أكثر اهمية في تشغيل الترانزستور ولذا رأيت أن اوضحه في ثلاث حالات محددة هي :

(أ) حالة التشغيل العادي :

ويكون الانحياز فيها هو القيمة المعتادة التي تترواح بين 5ر فولت , 7ر فولت مع ملاحظة زيادة الانحياز فيها يزيد من تشغيل الترانزستور وجهد الأنحياز هذا هو المعتاد والذي يتم توفيره في مراحل التردد الحالي والبيئي والمرئيات ومكبرات الصوت .

(ب) حالة التشبع :

ويكون الانحياز الامامي فيها أكثر من اللازم ( أكثر من 7ر فولت ) ويعني التشبع هنا زيادة التيارات في الترانستور الي أقصي قيمة ممكنة ونلاحظ في هذه الحالة أن زيادة تيار المجمع يكون من شأنها أن يزيد فرق الجهد علي طرفي المقاومة الموضوعة في طريق الجمع , يصل عادة إلي قيمة تناوب جهد المصدر المغذي للمجمع وبذلك ينخفض جهد المجمع أو صغره جدا بسبب احتراق أو زيادة قيمة مقاومة المجمع كما هو مألوف أو متوقع ولكن الأمر هنا يختلف بسبب زيادة فرق الجهد حسب قانون أوم جـ = ت X م وهو عادة ما يغيب عن ذهن الفني لعدم تعامله أساسا مع التيار وعدم مرونة قياسه .

(جـ) حالة القطع :

والتي فيها ينقص الانحياز الأمامي أو ينعدم أقل من 2و فولت لأنواع ترانستور السليكون مما يؤدي إلي انقطاع التيار في الترانستور وعليه يصير تيار المجمع صفرا أو يكاد يكون ويصاحب ذلك ارتفاع جهد المجمع والذي يكاد أن يصل إلي جهد مصدره وذلك بسبب عدم وجود أي فقد في الجهد علي طرفي المقاومة الموضوعة في طريق المجمع حسب قانون أوم أيضا جـ = ت X م و هو أيضا كثيرا ما يغيب عن ذهن الفني فيعتبر أن سبب زيادة الجهد هو نقص قيمة المقاومة أو أنها أصبحت صفرا أي حدث بها قصر Short وهو ما ينبغي أن نذكر به الفني أن يصرف النظر تماما عن توقعه لنقص قيمة المقاومة أو حدث قصر بها Short .

والأشكال التالية توضح الحالات السابق ذكرها وتأثير الانحياز الامامي علي جهد المجمع في كل حالة .

transistor-2_03

الحالة (1) هي الحالة الأكثر إستخداما والمألوفة للفنيين أما الحالتين الأخريين فيندر أستخدامهما إلا في حالات خاصة فحالة التشبع مثلا تستخدم في بعض دوائر التليفزيون الملون وحالة القطع تستخدم في دوائر التزامن وضابط الكسب الأوتوماتيكي A.G.C. والتي تستلزم عدم تشغيل الترانزستور الا بعض وصول نبضات تشغيله لإمداده بالإنحياز اللازم ولفترات قصيرة هي فترات وصول النبضات إليه لطبيعة عمل هذه المراحل أساسا – الا أنه قد تكون الحالة (1) هي حالة التشغيل الأساسية في الجهاز لمرحلة ما وأن عطلا قد أصابها فأنتقلت إلي احدي الحالتين الأخريتين وببساطة تامة كأن تزيد أو تفصل المقاومة م2 في الحالة (ب) فيزيد الإنحياز الأمامي زيادة كبيرة يصل بالترانزستور الي حالة التشبع فتتغير الضغوط كما هو موضح بالرسم ولأول وهله قد يتصور الفني أن زيادة جهد القاعدة من 6ر الي 8ر ليس بالشئ الكثير والذي يستحق الإهتمام فيكون التركيز عادة علي انخفاض جهد المجمع الواضح من 9 فولت الي 2ر فولت والذي يعزيه بكل ثقة الي تلف المقاومة م2 بزيادة قيمتها أو احترافها تماما Open ومن ناحية أخري قد تزيد قيمة المقومة م1 أو تفتح Open فينقص جهد القاعدة تماما أو ينعدم وبذلك ينقطع تيار المجمع وبالتالي ينعدم فرق الجهد علي المقاومة م2 فيرتفع جهد المجمع مما يدفع الفني للإعتقاد أن المقاومة حدث بها قصر أو Short وهذا خطأ كما سبق ذكره فضرورة أخذ القضية كاملة ودراسة علاقات الجهود علي أطراف الترانزستور وتحليلها كما سبق شرحه .

أشكال الترانزستور وأحجامه وترقيمه :

transistor-3_03

شكل (3) , (4) توضح أهم أشكال الترانزستور وأحجامه وموضح أيضا أطرافه وقد تتشابه بعضها ولكن تختلف في أوضاع أطرافها كما هو موضح وتلاحظ أن لكل نوع مواصفات خاصة يتبعها استخدام خاص حسب هذه المواصفات وتوجد بالأسواق كتب خصيصا لهذا الغرض توضح أهم ومرتبة حسب تسلسل ترقيمها بالحروف ثم الأرقام لسهولة البحث عنها لمعرفة نوعها PNP أو NPN وتركيبها سليكون أو جرمانبوم وقاعدتها لمعرف أطراف الترانزستور E,B,C وأماكن إستخدامها في الترددات العالية أو المنخفضة مثلاً وتحملها للجهد والتيار والقدرة وهذه أيضا تفيد في أشتقاق بديلات خلاف البديلات المذكرورة فقد تناوبت كثيرا هذه المعدلات – التيار والجهد والقدرة لنفس الشكل من الترانزستور وليس فقط للأشكال المختلفة المتوقع بطبيعة الحال اختلاف معدلاتها – والمقصود بمعدلاتها هو تحمل التيار والجهد والقدرة والحرارة , وليس معادلاتها – وهذا هو السر أحيانا في أرتفاع أثمان بعضها عن البعض رغم تماثلها في الشكل والحجم الظاهري – فقد تتماثب بعضها تماما في الشكل والحجم وتختلف إختلافا جوهريا في الجهد والقدرة التي تصل إلي عشرة أضعاف في المعدلات كان يتحمل أحد الترانزستورات 30فولت وغيره نفس الشكل 300فولت أو يتحمل أحد الترانزستورات 10وات في القدرة من أنواع ترانزستورات القدرة في الوقت الذي يتحمل مثيله في الشكل والحجم 100وات والقدرة هنا مقياس أيضا لتحمل الحرارة الشديدة وهنا يجب أن انبه الفني الذي يعتمد أحيانا كثيرة علي إكتشاف تعطل الترانزستور عن طريق جسه وتقدير الحرارة – وهنا يجب الرجوع إلي معدلات هذا الترانزستور الطبيعية – فإرتفاع درجة حرارة أحدهم ولو قليلا قد تشير إلي عيب فيه أو في المرحلى رغم أن ارتفاع درجة حرارة أخر الي درجة ملحوظة جدا قد تكون طبيعية فالأول مثلا اذا تم الكشف عليه في الكتاب نجد ان قدرته 10 وات فالحرارة الطفيفة الزائدة دليل عطل به أو بالدائرة التي يعمل بها في حين أن الأخر الذي قدرته 100 وات فهو يسخن بطبيعته .

استخدام كتاب بدائل الترانزستور :

وننصح بإقتناء كتاب الترانزستور الطبعة الدولية ويوجد بالموقع اسطوانة بديلة للكتاب

Comparison table tvt transistoren

وهو جزئين الأول A … Z وبالتالي 2N … والتي يضم أكبر مجموعة ممكنة من الترانزستورات المتداولة دوليا فالجزء الأول تم ترقيمه حسب الترقيم الأوربي والجزء الثاني حسب الترقيم الأمريكي والياباني – فالترقيم الأوربي يبدأ بحرفين أو أكثر وبعدها أرقام – ونلاحظ أن تقارب الأرقام لا يعني إطلاقا تقارب خواص الترانزستور وقد يختلف عنها في النوع أيضا مثال ذلك 422 B F ترانزستور NPN أما الترانزستور 423 B F ترانزستور PNP لهما نفس القاعدة ( وضع الأطراف بالنسبة لبعضها ) ونفس المعدلات – وهو يسمي بذلك المكمل له أي الذي يعمل معه في دوائر الدفع والجذب – كما هو في دوائر إخراج الصوت أو إخراج الرأس Push – Pull .

مثال أخر : ترانزستور 312B U , ترانزستور 311B U لهما نفس القاعدة والأثنان نوع NPN , والإختلاف فقط في زيادة طفيفة لتحمل جهد الثاني عن جهد الأول وهنا يجوز استخدام الثاني كبديل للأول .

مثال ثالث : ترانزستور 326 B C و 327 B C كلاهما PNP ولكن قاعدة الأول تختلف تماما عن قاعدة الثاني القاعدة تعني ترتيب وضع الأطراف ) وتيارالثاني أكثر من عشرة أضعاف تيار الأول والشكلان مختلفان تماما .

ومن جداول البدائل المذكورة الجزء الثاني الترقيم الياباني الأكثر سهولة في معرفة نوع الترانزستور فقط التي تتلخص في الترقيم الذي يحمل حرف A أو B نوعه PNP والترقيم الذي يحمل الحرف C أو D نوعه NPN ويكون الترقيم كاملاً كالأتي :

2 SA 30 2SB 56 2 SC 828 2 SD 200

وهي أربعة أمثلة لترانزستورات شائعة وعادة ما يتم الترقيم علي الطبيعة علي جسم الترانزستور بحذف 2 S والإبقاء علي باقي الرقم بمعني أن الترانزستورات 2 SC 828 وقد تم الحذف لضيق المكان وبداهة معرفته لأن الترقيم الأوروبي دائما يكون من حرفان فإذا تواجد حرف واحد فقط دل ذلك علي أنه ترقيم ياباني تم حذف 2 S منه أما الحرف الذي يأتي أخيرا يشير إلي تغيير طفيف من الترانزستور مثيله بدون حرف وعادة يكون في زيادة جهد التحمل .

مثال الترانزستور 2 SC 828 A

أنظر شكل (5) وهو الجدول والشكل (6) وهو القاعدة .

transistor-5_03

transistor-6_03

الخانة الأولي : الشركة الصانعة M A T إختصار لشركة Matsushita

الخانة الثانية : NPN – SI تعني أنه من السليكون ونوع NPN

الخانة الثالثة : وتشير إلي رقم القاعدة بأخر الكتاب شكل (6) السابق أي تحديد الأطراف علي أساس أن يوضح الترانزستور وأطرافه إلي أعلي لتحديد كل من E, B, C,

الخانة الرابعة : = 2 SC 828 : 45 v

وتعني أنها نفس معدلات وإستخدام 2 SC 858 وهي Uni متعدد الأغراض في الإستخدام والمعدلات 45 V , 0. 05 A , 0.25 Wأي ان له نفس معدلات التيار والقدرة ويزيد عنه في الجهد حيث أن الأول 30 V والثاني 45 V .

الخانة الخامسة : BC (21a) , BC 547 (21 a ) , BC 582 (21 a ) 2 N 2220 – 22 (4 a)

ويلاحظ أنه يوجد ثلاث بدائل أوربية وثلاث بدائل أمريكية وهي

2 N 2222 , 2 N 2221 , 2 N 2220

وموضح أمام كل بديل قاعدته وهذه ملحوظة هامة جدا جدا أن أطراف البديل لا يشترط أن تكون بنفس ترتيب أطراف الأصلي فيراعي القاعدة .

الخانة السادسة : وهي خانة الملاحظات Kompl : 2 SA 564 A

أي أن هذا الترانزستور هو الترانزستور المكمل له الذي يستخدم معه في دوائر الدفع والجذب بنفس الخصائص تماما ولكنه نوع PNP

طرق الكشف عن الترانزستور :

لقد عرفت من دراستك للترانزستور أنه يمكن اعتبار الترانزستور من وجهة نظر القياس أنه يتكون من ثنائيات متصلان ببعض باعتبار أن القاعدة تصنع ثنائي مع كل من القاذف والجمع فيمكن تمثيلها كالأتي أنظر شكل (7) .

transistor-7_03

وبالتالي ينطبق عليهما فكرة قياس الثنائي بين كل من القاعدة والقاذف والفاعدة والمجمع كما توجد قراءة أخري بين القاذف والجمع ومن الواضح أنه من المفروض ألا توجد قراءة بإختلاف وضع أطراف جهاز الأوم ميتر الا أنه يهمني أن أوضح لك بعض القراءات العملية التي ثبت صحتها في اعداد كبيرة جدا من الترانزستورات المألوفة أوضحت القراءات الأتية في المتوسط .

أولا : الترانزستورات NPN

بوضع الأوم ميتر علي تدرج x 10 ohm عند القياس للترانزستور العادي و XI ohm عند القياس للترانزستور القدرة – تكون قراءتا المقاومة الأمامية للثنائيات متساوية وتساوي من 50 أوم إلي 80 أوم للعادي و 5- 8 أوم للترانزستور القدرة – وللمقاومة العكسية يوضح الأميتر علي تدريج Y x 1 k لا نحصل علي أي قراءة أي للثنائيات فإذا وجدت أي قراءه دل ذلك علي تلف الترانزستور .

ملحوظة (1) :

اذا وضح بعد ذلك تدريج الأوم ميتر علي 10 k x فقد لاحظنا أنه لا توجد قراءة أيضا بين القاعدة والمجمع كالعادة في الاتجاه العكسي ولكن توجد قراءه أيضا تتراوح بين 300 كيلو أوم , 1000 كيلو أوم بين القاعدة والقاذف – كما أن هذا أيضا تعتبر وسيلة جدا لتحديد القاذف وأن القاذف هو الطرف الذي يظهر قراءة مع القاعدة في الاتجاه العكسي لأن المجمع لا يظهر أي قراءة .

ملحوظة (2) :

اذا وضع تدريج الأوميتر علي وضع x 10k لا توجد قراءة بين القاذف والجمع حتي لو عكس الأطراف أما إذا وضع علي تدريج x 10 k فتظهر قراءة بين القاذف والمجمع اذا كان الطرف الأسود (…) N للأوم ميتر موضع علي القاذف ولا تظهر اذا عكست الأطراف – وهي مرة أخري تأكيد لمعرفة القاذف .

ملحوظة (3) :

في حالة القراءة الصغيرة للمقاومة الأمامية يكون طرف الأوم ميتر الأسود الموضوع في الفتحة بعلامة (…) N والذي يقابلها داخل جهاز الأوم ميتر الطرف الموجب للبطارية علي طرف القاعدة .

ويمكن تلخيص ذلك بالشكل (8) .

transistor-8_03

ثانيا : الترانزستور PNP :

لا يختلف جوهر قراءات المقاومة الأمامية الصغيرة والعكسية العالية الا أنه تكون العكسية العالية أقل كثيرا من العكسية العالية للنوع NPN أي أنه توجد قراءات وليست Open ولتحديد القاذف تؤخذ القراءة العكسية الأقل لتكون هي الطرف القاذف عادة كما أنه يوجد في كثير من أنواع ترانزستور PNP علامة . أو علامة أو نقطة حمراء تشير إلي طرف المجمع .

ملحوظة :

عند قراءة المقاومة الأمامية الصغيرة يكون الطرف الأحمر ( + ) P موضوع علي القاذف . وهي طريقة لمعرفة نوع الترانزستور اذ لم يكن معروفا والشكل (18) يلخص هذه القياسات .

transistor-9_03

ملحوظة عامة :

قد يوجد طرف رابع في بعض الترانزستورات وهذا الأخير يكون متصلا بجسم الترانزستور المعدني ويعتبر Shield ويوصل في الجهاز بالأرضي وعادة ما يعمل عذا النوع في الترددات العالية جدا وهو يماثل الغطاء المعدني حول الصمامات التي توجد بمولف القنوات وهي التردد العالمي والمازج والمذبذب كما يمكن تواجدها في مكبرات التردد البيني العالمية أيضا .

Possibly Related Posts:


كتب في نفس المجال او من نفس الفئة

About farahat 1475 Articles
الــبــاجور - المـنـوفـيـة - جمهورية مصر العربية 0106331333 مهندس /احمد فرحات درس هندسه و علوم النظم و الحاسبات و له خيرة 18 عام في المجالات الهندسية المتعلقه بالنظم الهندسية كافة سواء كانت نظم لها علاقة بالعتاد (كهربيه - الكترونية - ميكانيكية) او نظم لها علاقة بالبرمجيات و قد حصل علي دبلومة مابعد التخرج في هندسه و علم الحاسب

2 Comments

Leave a Reply

Your email address will not be published.


*